专利名称：光刻工艺的显影方法专利类型：发明专利
发明人：李燕,曹亮,杨正兵,唐代华,李磊,张华申请号：CN201310388343.5申请日：20130830公开号：CN103424997A公开日：20131204
摘要：本发明公开了一种光刻工艺的显影方法，包括：旋转步骤：以第一速度旋转声表面波晶片；第一次滴注步骤：移动显影液手臂至所述声表面波晶片的边缘处并开始滴注显影液；移动步骤：将显影液手臂从声表面波晶片的边缘移动至声表面波晶片的中心位置；第二次滴注步骤：保持显影液手臂位于所述声表面波晶片的中心位置处持续滴注显影液；静止步骤：保持所述声表面波晶片静止；以及清洗甩干步骤：清洗所述声表面波晶片。上述光刻工艺的显影方法能使得光刻显影后光刻胶中心和边缘图形关键尺寸一致，进而可提高声表面波器件电性能或图形化蓝宝石衬底的均匀性。
申请人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
地址：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
国籍：CN
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