专利名称：一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构专利类型：发明专利
发明人：李国儒,李云初,戴惜时申请号：CN201310040780.8申请日：20130201公开号：CN103117744A公开日：20130522
摘要：本发明公开了一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构，包括三个栅极共连并与控制电压连接的MOS开关管；第二MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地，漏极分别与第一MOS开关管的源极和漏极连接，还包括两个MOS电容管，两个MOS电容管的栅极分别连接到第一MOS开关管的源极和漏极；两个MOS电容管的源极共连至地；两个MOS电容管的漏极均接地。本发明通过加入非线性电容补偿电路，很好的补偿了在开关断开时的开关非线性寄生电容对VCO相位噪声的影响。该改进结构在开关全部断开时对压控振荡器的相位噪声性能有良好的改善，并且在开关全部导通时对电路几乎没有影响，可大大提高VCO的高频段相位噪声性能。
申请人：苏州云芯微电子科技有限公司
地址：215332 江苏省苏州市昆山市花桥镇徐公桥路2号中茵国际商务花园D区896号
国籍：CN
代理机构：南京纵横知识产权代理有限公司
代理人：董建林
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