专利名称：应用于压接型MOSFET的栅极结构专利类型：实用新型专利
发明人：陈政宇,曾嵘,赵彪,余占清,刘佳鹏,周文鹏申请号：CN2018211865.6申请日：20180725公开号：CN208690252U公开日：20190402
摘要：一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，包括第一铜块，压接型MOSFET，栅极连接件，接收外部栅极控制信号的连接接口，第二铜块，与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属，用于所述棒状金属与所述栅极连接件连接的弹性结构，所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质。使用对MOSFET散热路径无阻隔作用的上述栅极结构，能够提升散热能力，同时简化压装结构。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区清华园
国籍：CN
代理机构：北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
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