一种MOCVD半导体处理装置及制作方法[发明专利]

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专利名称：一种MOCVD半导体处理装置及制作方法专利类型：发明专利

发明人：贺小明,倪图强,万磊,杨平申请号：CN201410238194.9申请日：20110726公开号：CN103985659A公开日：20140813

摘要：本发明实施例提供一种MOCVD半导体处理装置及其制作方法，所述半导体处理装置包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述腔室内具有多个处理部件，所述半导体处理装置还包括：抗刻蚀层，覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子体的表面，所述抗刻蚀层用于抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件。本发明利用抗刻蚀层对处理腔室和处理部件进行保护，防止所述处理腔室和处理部件受到等离子体的损伤，并提高处理腔室和处理部件的使用寿命。

申请人：中微半导体设备(上海)有限公司

地址：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

国籍：CN

代理机构：上海智信专利代理有限公司

代理人：王洁

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