具多晶方向的CMOS逻辑闸及其形成方法[发明专利]

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专利名称：具多晶方向的CMOS逻辑闸及其形成方法专利类型：发明专利

发明人：陈宏玮,吴炳坤,王昭雄,杨富量,胡正明申请号：CN200510073470.1申请日：20050530公开号：CN1722439A公开日：20060118

摘要：本发明是有关于一种具多晶方向的CMOS逻辑闸及其形成方法，是一种使用SOI与混合基材方向形成CMOS元件的方法。依照本发明的一较佳实施例，基材可具有多种结晶方向。基材中的逻辑闸可包括位于一结晶方向上的至少一N－FET及位于另一结晶方向上的至少一P－FET。基材中的另一逻辑闸可包括位于相同结晶方向上的至少一N－FET及至少一P－FET。而在本发明的其他较佳实施例中，则更包括确定基材的较佳平面，以及定位相对于彼此的基材，以考量其的个别较佳平面。其中，平面较佳的为不平行。

申请人：积体电路制造股份有限公司

地址：省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号

国籍：CN

代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司

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