一种N型4H-SiC同质外延掺杂控制方法[发明专利]

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专利名称：一种N型4H-SiC同质外延掺杂控制方法专利类型：发明专利

发明人：王悦湖,孙哲,张玉明,贾仁需,张义门申请号：CN201310355749.3申请日：20130813公开号：CN1034221A公开日：20131204

摘要：发明公开了一种N型4H-SiC同质外延掺杂控制方法，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入CH；当温度达到1580℃后，对衬底进行原位刻蚀10～30min；其后保持反应室温度1580℃，气压300mbar～700mbar，在80L/min的氢气流中加入流量为15～24mL/min的SiH，流量为5～10mL/min的CH和流量为2L/min的N，生长外延层；生长结束后，在氢气流中冷却；最后向反应室充入氩气至常压。本发明只改变反应室的气压，操作简单方便，制备的碳化硅外延层掺杂均匀，表面平整，可用于制作碳化硅器件。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

国籍：CN

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