欧姆接触结构与半导体器件[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：欧姆接触结构与半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：刘志拯

申请号：CN201921459961.3申请日：20190904公开号：CN210110757U公开日：20200221

摘要：本公开提供一种欧姆接触结构与半导体器件。欧姆接触结构包括：第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。本公开实施例提供的欧姆接触结构可以安全地实现ESD功能。

申请人：长鑫存储技术有限公司

地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

国籍：CN

代理机构：北京律智知识产权代理有限公司

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