具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法[发明专利]

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专利名称：具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法专利类型：发明专利发明人：吴德源,李秋德申请号：CN02150606.X申请日：20021106公开号：CN1469466A公开日：20040121

摘要：本发明揭示一种具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法。本发明的半导体结构藉由使用位于内层的铜金属层来作为熔丝，使得本发明中的铜熔丝可以容易被激光修补工具所切割。此外，本发明的方法可以在一道蚀刻制程中分别限定出在接合垫上方与在熔丝上方的开口。因此，藉由上述的过程，可以有效地形成一铜熔丝于一半导体结构中。此外，在本发明的方法中，还因为使用内层的铜金属层来取代习知技术中位于上层的铝熔丝，所以可以节省整个半导程的成本。

申请人：联华电子股份有限公司

地址：省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

国籍：CN

代理机构：上海专利商标事务所

代理人：任永武

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