发光二极管芯片衬底结构的制备方法[发明专利]

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专利名称：发光二极管芯片衬底结构的制备方法专利类型：发明专利

发明人：袁根如,郝茂盛,颜建锋,李士涛,陈诚,董云飞申请号：CN200910048633.9申请日：20090331公开号：CN101515625A公开日：20090826

摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片衬底结构的制备方法，在蓝宝石衬底表面上形成一层光刻胶膜层；应用光刻工艺将光刻胶膜层图形化以形成所期望的图案；利用深紫外线对光刻胶照射；应用回流工艺熔化该光刻胶膜层，使该光刻胶膜层形成多个凸包形；应用电感耦合等离子体蚀刻的方法将该光刻胶膜层的多个凸包形轮廓传递到该衬底上，在该衬底上形成凸包形微结构。由于采用了深紫外线对光刻胶照射，改变光刻胶的性质，提高光刻胶抗ICP(电感耦合等离子体)刻蚀能力，可直接利用光刻胶做掩膜制造优良的微结构图形，并且可有效减少刻蚀后衬底受到污染的情况，从而有利于减少发光二极管芯片的内部吸收及界面反射，可提高发光二极管芯片的发光效率。

申请人：上海蓝光科技有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所

代理人：余明伟

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