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包括绕过物理层的硅通孔(TSV)的可配置随机存取存储器(RAM)阵列

来源：筏尚旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：包括绕过物理层的硅通孔（TSV）的可配置随机存

取存储器（RAM）阵列

专利类型：发明专利发明人：李建文

申请号：CN201811073439.1申请日：20180914公开号：CN110675903A公开日：20200110

摘要：一种系统，包括：主逻辑电路，该主逻辑电路包括存储器控制器，存储器控制器包括信号控制电路和电耦合到信号控制电路的硅通孔(TSV)连接点；以及存储器设备，存储器设备包括存储器单元，所述存储器单元包括电耦合到所述主逻辑电路的TSV连接点的TSV，其中所述信号控制电路使用所述TSV传输信号以操作所述存储器设备。

申请人：上海登临科技有限公司

地址：201203 上海市浦东新区盛夏路570号901室

国籍：CN

代理机构：北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：王勇

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