一种等离子体辅助原子层沉积装置[发明专利]

来源：筏尚旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种等离子体辅助原子层沉积装置专利类型：发明专利发明人：陈韦斌

申请号：CN201810013983.0申请日：20180108公开号：CN108149224A公开日：20180612

摘要：本发明公开了一种等离子体辅助原子层沉积装置，包括反应腔室、至少一个进气模块、加热装置、出气管、真空泵、载板和至少一个基片；所述进气模块包括第一进气通道、第二进气通道和射频电极，所述第一进气通道的一端连接第一气体源，另一端通入反应腔室中，所述第二进气通道的一端连接第二气体源，另一端通过射频电极将第二气体电离为等离子体后通入反应腔体，并且第一气体和第二气体垂直于基板表面进入反应腔室中；在反应腔室中，第一气体和第二气体出口两侧均设置绝缘隔板。本发明提供的一种等离子体辅助原子层沉积装置，能够显著提高反应气体的活性，大幅提升薄膜的沉积速率，从而提高对前驱体源的利用率和生产效率。

申请人：上海硕余精密机械设备有限公司

地址：200000 上海市奉贤区庄行镇光明中心路68号2幢3层369室

国籍：CN

代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文