专利名称：碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法专利类型：发明专利
发明人：朴钟辉,沈钟珉,梁殷寿,李演湜,张炳圭,崔正宇,高上
基,具甲烈,金政圭
申请号：CN202010531592.5申请日：20200611公开号：CN112746317A公开日：20210504
摘要：本发明涉及碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法。所述晶片的特征在于：因施加到表面的冲击而产生裂纹，所述冲击依靠具有机械能的重锤，所述机械能的最小值是每单位面积0.194J至0.475J。当从根据一个实施例的碳化硅晶锭切下的晶片的表面因施加到其表面的机械能而产生裂纹时，所述机械能的最小值可以是每单位面积(1cm)0.194J至0.475J。根据一个实施例的碳化硅晶锭的制备方法可以通过设置最佳工艺条件，从而能够制备确保耐冲击性且缺陷密度数值降低的碳化硅晶锭。
申请人：SKC株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：成都超凡明远知识产权代理有限公司
代理人：魏彦
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容