一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法专利类型：发明专利发明人：王晓红,徐思行,夏璠申请号：CN201911200879.3申请日：20191129公开号：CN111128558A公开日：20200508

摘要：本发明实施例提供一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法。所述电容器芯片包括衬底层、正金属电极、负金属电极、导电集流层和凝胶电解质，所述衬底层由上到下包括绝缘层和硅层，所述正金属电极和负金属电极分别通过导电集流层独立位于所述绝缘层上方，所述正金属电极和负金属电极为多孔金属结构，且在所述多孔金属结构表面覆盖低维赝电容材料，在所述正金属电极和负金属电极周围为所述凝胶电解质，本发明实施例通过在硅片上形成电容器芯片，所述电容器芯片的正金属电极和负金属电极为多孔金属结构且表面覆盖低维赝电容材料，从而在高电频下实现高电容密度，且实现了电解电容器的小型化和量产。

申请人：清华大学

地址：100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

国籍：CN

代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：程琛

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