铥掺杂氟化铅晶体及其制备方法[发明专利]

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专利名称：铥掺杂氟化铅晶体及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：尹继刚,杭寅,何晓明,张连翰,胡鹏超申请号：CN201010272785.X申请日：20100902公开号：CN101935874A公开日：20110105

摘要：一种铥掺杂的氟化铅晶体，该晶体分子式为TmPbF，其中x为Tm的掺杂浓度，x＝0.1～10mol％。该晶体采用熔体法生长，包括下列步骤：①选定x的取值，在晶体生长的初始原料为TmF和PbF，根据分子式TmPbF按化学计量比称量原料，其中x＝0.1～10mol％；②按上述比例称取的原料充分混合均匀，真空烘干并压制成块，放入石墨坩埚或铂金坩埚中，采用PbF晶体作为籽晶，生长气氛为氩气或者CF气体。该晶体具有长荧光寿命10ms、较大的吸收和发射截面，固晶体有望在全固态激光二极管泵浦的2μm波段激光器中应用。

申请人：中国科学院上海光学精密机械研究所

地址：201800 上海市800-211邮政信箱

国籍：CN

代理机构：上海新天专利代理有限公司

代理人：张泽纯

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