专利名称：经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器和CMOS半导体
器件
专利类型：发明专利
发明人：张禄,孟欣,张伟,和斌,张燏,郭艳玲,邢岳,吕崇森申请号：CN201310744718.7申请日：20131230公开号：CN103762215A公开日：20140430
摘要：本发明公开了一种经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器和CMOS半导体器件。该反相器包括分别包含源极、漏极和栅极的PMOS晶体管和NMOS晶体管，分别包围PMOS晶体管和NMOS晶体管的N隔离环和P隔离环，PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的栅极连通形成反相器的输入端，PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极连通形成反相器的输出端，PMOS晶体管的源极形成反相器的高电位端，NMOS晶体管的源极形成反相器的低电位端。该反相器中，形成在NMOS晶体管的铝栅电极层下方的场氧化物层的厚度与NMOS晶体管的栅氧化层的厚度相同。利用薄栅氧化层抗总剂量辐射能力强的特点，将NMOS晶体管薄栅氧化层延伸到P隔离环上，阻断了在大剂量辐射情况下形成的NMOS晶体管源漏间的导电通路，提高了反相器抗总剂量辐射的能力。
申请人：北京宇翔电子有限公司
地址：100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号
国籍：CN
代理机构：北京正理专利代理有限公司
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